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利用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀可以做到的多種分析

更新時(shí)間：2023-01-31瀏覽：781次

　　飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀在表面分析中具有很高的靈敏度。該方法利用一次離子激發(fā)樣品表面微量二次離子，并根據(jù)二次離子飛向探測器的時(shí)間長短來確定離子質(zhì)量。由于離子在TOF-SIMS中的飛行時(shí)間只與質(zhì)量有關(guān)，所以它一次脈沖就可以得到全譜，離子利用率高，可以實(shí)現(xiàn)樣品的靜態(tài)分析。

　　二次離子質(zhì)譜儀的飛行時(shí)間只取決于離子的質(zhì)量。由于它一次脈沖可以得到全譜，離子利用率最高，可以實(shí)現(xiàn)樣品幾乎無損的靜態(tài)分析。

　　1、有機(jī)質(zhì)表面表征，能分析元素的面分布，分辨率在5-10nm之間。

　　2、鑒別金屬，玻璃，陶瓷，薄膜或粉末表面的有機(jī)物層或無機(jī)層，能夠分析有機(jī)物并直接輸出分子式。

　　3、極小面積分析，最小區(qū)域直徑為80納米。

　　4、深度分辨率良好（0.1-1納米），但是濺射速率非常慢（小于1μm/H）。

　　5、可以提供樣品的三維圖像信息。

　　6、同位素豐度分析（英文）.

　　7、采用TOF-SIMS技術(shù)對產(chǎn)品表面膜層成分進(jìn)行定性分析，采用TOF-SIMS技術(shù)對膜層成分進(jìn)行定性分析。

　　8、當(dāng)膜層和基材的截面出現(xiàn)了分層現(xiàn)象，但沒有發(fā)現(xiàn)明顯的雜質(zhì)痕跡時(shí)，可以使用TOF-SIMS進(jìn)行表面微量物質(zhì)成分分析，以確定是否存在外來污染，檢出限為ppm。